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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB6NC60-1
STB6NC60-1 PDF预览

STB6NC60-1

更新时间： 2024-09-22 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 366K
描述
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET

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STB6NC60-1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB6NC60-1 数据手册

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STP6NC60 - STP6NC60FP  
STB6NC60-1  
N-CHANNEL 600V - 1Ω - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK  
PowerMESH™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP(B)6NC60(-1)  
STP6NC60FP  
600 V  
600 V  
< 1.2 Ω  
< 1.2 Ω  
6 A  
6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.0 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
DESCRIPTION  
2
I PAK  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)6NC60(-1) STP6NC60FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
6
6(*)  
3.8(*)  
24(*)  
40  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.8  
24  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
125  
1.0  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3
V
-
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
May 2001  
(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/10  
1234567...10

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STB6NC60-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STI6N62K3 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V 1.0 OHM - 6A - TO-220/TO220FP/I2PAK POWER MESH II MOSFET
STB6NC80 STMICROELECTRONICS

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STB6NC80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/DPA
STB6NC80Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/DPA
STB6NC80ZT4 STMICROELECTRONICS

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STB6NC90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DP
STB6NC90Z-1 STMICROELECTRONICS

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STB6NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2
STB6NK60Z_0711 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP

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