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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB6NC90Z-1
STB6NC90Z-1 PDF预览

STB6NC90Z-1

更新时间： 2024-09-29 22:08:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 533K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STB6NC90Z-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：356 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：1.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB6NC90Z-1 数据手册

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STP6NC90Z - STP6NC90ZFP  
STB6NC90Z - STB6NC90Z-1  
N-CHANNEL 900V - 1.55Ω - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP6NC90Z  
STP6NC90ZFP  
STB6NC90Z  
STB6NC90Z-1  
900 V  
900 V  
900 V  
900 V  
< 1.9 Ω  
< 1.9 Ω  
< 1.9 Ω  
< 1.9 Ω  
5.4 A  
5.4 A  
5.4 A  
5.4 A  
3
1
3
D²PAK  
2
■
■
TYPICAL R (on) = 1.55Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE  
TO - SOURCE ZENER DIODES  
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
3
2
1
I²PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)6NC90Z(-1) STP6NC90ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
900  
900  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
5.4  
3.43  
21  
5.4(*)  
3.43(*)  
21  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
135  
1.08  
40  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
±50  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
V
--  
2000  
ISO  
T
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤5.4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
July 2002  
(2) Limited only by maximum temperature allowed  
.
1/13  
1234567...13

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与STB6NC90Z-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB6NC90ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA
STB6NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2
STB6NK60Z_0711 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP
STB6NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2
STB6NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2
STB6NK90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220
STB6NK90ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220
STB6NM60N STMICROELECTRONICS

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 		4.6A, 600V, 0.92ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK
STB7001 STMICROELECTRONICS

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 		900 MHz THREE GAIN LEVEL LNA
STB7002 STMICROELECTRONICS

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 		1.8GHz THREE GAIN LEVEL LNA

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