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SST25VF020-20-4C-QAE

更新时间： 2024-11-19 20:32:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 283K
描述
2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8

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SST25VF020-20-4C-QAE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：VSOP, SOLCC8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：1.99Is Samacsys：N
其他特性：SYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE最大时钟频率 (fCLK)：20 MHz
数据保留时间-最小值：100耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：6 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSOP
封装等效代码：SOLCC8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000015 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：5 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

SST25VF020-20-4C-QAE 数据手册

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Not recommended for new designs.  
Please use SST25VF020B  
2 Mbit SPI Serial Flash  
SST25VF020  
A Microchip Technology Company  
Not Recommended for New Designs  
SST's serial flash family features a four-wire, SPI-compatible interface that allows  
for a low pin-count package occupying less board space and ultimately lowering  
total system costs. SST25VF020 SPI serial flash memory is manufactured with  
SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash Technology. The split-gate  
cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufac-  
turability compared with alternate approaches.  
Features  
• Single 2.7-3.6V Read and Write Operations  
• End-of-Write Detection  
– Software Status  
• Serial Interface Architecture  
• Hold Pin (HOLD#)  
– SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3  
– Suspends a serial sequence to the memory  
• 20 MHz Max Clock Frequency  
• Superior Reliability  
without deselecting the device  
• Write Protection (WP#)  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
– Enables/Disables the Lock-Down function of the status  
register  
• Low Power Consumption:  
• Software Write Protection  
– Active Read Current: 7 mA (typical)  
– Standby Current: 8 µA (typical)  
– Write protection through Block-Protection bits in status  
register  
• Flexible Erase Capability  
• Temperature Range  
– Uniform 4 KByte sectors  
– Uniform 32 KByte overlay blocks  
– Commercial: 0°C to +70°C  
– Industrial: -40°C to +85°C  
– Extended: -20°C to +85°C  
• Fast Erase and Byte-Program:  
• Packages Available  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Sector- or Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– 8-lead SOIC 150 mil body width  
– 8-contact WSON (5mm x 6mm)  
• Auto Address Increment (AAI) Programming  
• All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant  
– Decrease total chip programming time over Byte-Pro-  
gram operations  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25078A  
11/11  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST25VF020-20-4C-S2AE SST

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 		2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash
SST25VF020-20-4C-SAE SST

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 		2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash
SST25VF020-20-4C-SAE-T MICROCHIP

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 		IC,SERIAL EEPROM,NOR FLASH,256KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC
SST25VF020-20-4E-QAE SST

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 		2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash
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