5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻： | 50 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST112TT1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST112TT2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST113 | CALOGIC |
获取价格 |
N-Channel JFET Switch |
|
| SST113 | Linear Systems |
获取价格 |
SINGLE N-CHANNEL JFET |
|
| SST113 | MICROSS |
获取价格 |
Linear Systems replaces discontinued Siliconix SST113 |
|
| SST113_SOT-23 | MICROSS |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| SST1130 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
|
| SST1130T216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| SST1139 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
|
| SST1139T116 | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
