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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 100 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST113TT1 | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
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| SST113TT1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SST113TT2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SST113TT2 | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
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| SST113TT2-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SST114 | CIT |
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CIT SWITCH |
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| SST11CP15 | SST |
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4.9-5.8 GHz High-Linearity Power Amplifier |
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| SST11CP15E | MICROCHIP |
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4.9-5.9 GHz High-Linearity Power Amplifier |
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| SST11CP15-QUBE | MICROCHIP |
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4900 MHz - 5800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, 2 X 2 MM, 0.60 MM HEI |
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| SST11CP16 | MICROCHIP |
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5.1-5.9 GHz High-Linearity Power Amplifier |
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