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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻： | 50 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST112T2 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| SST112-T2 | VISHAY |
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Transistor |
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| SST112T-2T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| SST112T-2T2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| SST112T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
| SST112TT1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SST112TT1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST112TT2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SST113 | CALOGIC |
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N-Channel JFET Switch |
|
| SST113 | Linear Systems |
获取价格 |
SINGLE N-CHANNEL JFET |
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