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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | LOW INSERTION LOSS |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 50 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST112TT1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST112TT1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST112TT2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SST113 | CALOGIC |
获取价格 |
N-Channel JFET Switch |
|
| SST113 | Linear Systems |
获取价格 |
SINGLE N-CHANNEL JFET |
|
| SST113 | MICROSS |
获取价格 |
Linear Systems replaces discontinued Siliconix SST113 |
|
| SST113_SOT-23 | MICROSS |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| SST1130 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
|
| SST1130T216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| SST1139 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
|
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