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SSM3K7002FU(T5LRBF

更新时间： 2024-01-24 00:51:40

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	182K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM3K7002FU(T5LRBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K7002FU(T5LRBF 数据手册

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SSM3K7002F

I_D- V_DS

I_D- V_GS

1000

100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

Common Source

VDS = 10 V

Common Source

Ta = 25 °C

4.5 4.0

Ta = 100 °C

25 °C

3.3

3.0

- 25 °C

2.7

2.5

0.1

0.01

VGS = 2.3 V

0.5

1.5

Drain-Source Voltage V_DS(V)

Gate-Source Voltage V_GS(V)

R_DS(ON) - I_D

R_DS(ON) - V_GS

Common Source

I_D= 100 mA

Common Source

Ta = 25 °C

Ta = 100 °C

25 °C

5.0 V

VGS = 4.5 V

10 V

- 25 °C

100

1000

Drain Current I_D(mA)

Gate-Source Voltage V_GS(V)

R_DS(ON) - Ta

Vth - Ta

1.8

1.6

1.4

1.2

Common Source

ID = 0.25 mA

V_DS= 10 V

VGS = 4.5 V , ID = 100 mA

0.8

0.6

0.4

0.2

10 V , 500 mA

5.0 V , 100 mA

-25

100

125

150

-25

100

125

150

Ambient Temperature Ta (°C)

2014-03-01

1 234 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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