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SSM3K7002FU(T5LRBF

更新时间： 2024-02-17 08:49:41

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	182K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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SSM3K7002FU(T5LRBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K7002FU(T5LRBF 数据手册

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SSM3K7002F

|Yfs| - I_D

I_DR- V_DS

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

Common Source

VGS = 0 V

Common source

VDS = 10 V

Ta = 25 °C

IDR

100

1000

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

Drain Current I_D(mA)

Drain-Source Voltage V_DS(V)

C - V_DS

t - ID

100

10000

1000

100

Common Source

VDD = 30 V

VGS = 0 V

f = 1 MHz

Ta = 25 °C

VGS = 0 to 10 V

Ta = 25 °C

Ciss

Coss

td(off)

td(on)

Crss

0.1

100

1000

Drain-Source Voltage V_DS(V)

Drain Current I_D(mA)

P_D- Ta

250

200

150

100

120

140

160

Ambient Temperature Ta (°C)

2014-03-01

1 2 345

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与SSM3K7002FU(T5LRBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SSM3K7002FU,LF(T	TOSHIBA	Small Signal Field-Effect Transistor	获取价格
SSM3K7002KF	TOSHIBA	N-ch MOSFET, 60 V, 0.4 A, 1.5 Ω@10V, SOT-346(	获取价格
SSM3K7002KFU	TOSHIBA	N-ch MOSFET, 60 V, 0.4 A, 1.5 Ω@10V, SOT-323(	获取价格
SSM3K72CFS	TOSHIBA	N-ch MOSFET, 60 V, 0.17 A, 3.9 Ω@10V, SOT-416	获取价格
SSM3K72CTC	TOSHIBA	N-ch MOSFET, 60 V, 0.15 A, 3.9 Ω@10V, CST3C	获取价格
SSM3K72KCT	TOSHIBA	N-ch MOSFET, 60 V, 0.4 A, 1.5 Ω@10V, SOT-883(	获取价格