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SSM3K56ACT

更新时间: 2024-11-02 10:36:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 208K
描述
SMALL SIGNAL, FET

SSM3K56ACT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.62
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):1.4 A
最大漏源导通电阻:0.235 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XBCC-N3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SSM3K56ACT 数据手册

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SSM3K56ACT  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS  
SSM3K56ACT  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) 1.5-V gate drive voltage.  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 235 m(max) (@VGS = 4.5 V)  
RDS(ON) = 300 m(max) (@VGS = 2.5 V)  
RDS(ON) = 480 m(max) (@VGS = 1.8 V)  
RDS(ON) = 840 m(max) (@VGS = 1.5 V)  
3. Packaging and Pin Configuration  
1.Gate  
2.Source  
3.Drain  
CST3  
Start of commercial production  
2015-11  
©2015 Toshiba Corporation  
2015-11-16  
Rev.1.0  
1

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