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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K7002FU(LMAA,F
SSM3K7002FU(LMAA,F PDF预览

SSM3K7002FU(LMAA,F

更新时间： 2024-11-26 12:58:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
5页 220K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM3K7002FU(LMAA,F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K7002FU(LMAA,F 数据手册

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SSM3K7002BFU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
SSM3K7002BFU  
High-Speed Switching Applications  
Analog Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
Small package  
Low ON-resistance : R  
= 3.3 Ω (max) (@V  
= 2.6 Ω (max) (@V  
= 2.1 Ω (max) (@V  
= 4.5 V)  
= 5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
: R  
: R  
= 10 V)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
V
60  
DSS  
Gate-source voltage  
± 20  
200  
800  
150  
150  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
(Note 1)  
mW  
°C  
D
T
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
SC-70  
2-2E1E  
TOSHIBA  
Weight: 6.0 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: mounted on FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.6mm2 × 3)  
0.6 mm  
1.0 mm  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
3
3
NM  
1
2
1
2
1
2009-11-26  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K7002FU(LSAN,F TOSHIBA

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 		暂无描述
SSM3K7002FU(T5LIMF TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K7002FU(T5LLGF TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K7002FU(T5LRBF TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K7002FU,LF(T TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K7002KF TOSHIBA

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