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SSM3K7002FU(T5LRBF PDF预览

SSM3K7002FU(T5LRBF

更新时间： 2024-02-25 16:01:02
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 182K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM3K7002FU(T5LRBF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K7002FU(T5LRBF 数据手册

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SSM3K7002F  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K7002F  
High-Speed Switching Applications  
Analog Switch Applications  
Unit: mm  
+0.5  
•
•
Small package  
2.5-0.3  
Low ON-resistance : R = 3.3 Ω (max) (@V  
= 4.5 V)  
= 5 V)  
+0.25  
1.5-0.15  
on  
GS  
GS  
GS  
: R = 3.2 Ω (max) (@V  
on  
: R = 3.0 Ω (max) (@V  
= 10 V)  
on  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
60  
Unit  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
± 20  
V
GSS  
DC  
I
200  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
800  
DP  
1.Gate  
2.Source  
3.Drain  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
200  
mW  
°C  
D
ch  
stg  
T
150  
S-MINI  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
SC-59  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/  
voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-3F1F  
Weight: 12 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
I
V
= ± 20 V, V = 0  
DS  
⎯
60  
⎯
⎯
⎯
± 10  
⎯
μA  
V
GSS  
GS  
Drain-source breakdown voltage  
Drain cutoff current  
V
I
= 0.1 mA, V  
= 0  
(BR) DSS  
D
GS  
GS  
I
V
V
V
= 60 V, V  
= 0  
⎯
1
μA  
V
DSS  
DS  
DS  
DS  
Gate threshold voltage  
V
= 10 V, I = 0.25 mA  
1.0  
170  
⎯
⎯
2.5  
⎯
th  
D
Forward transfer admittance  
⎪Y ⎪  
fs  
= 10 V, I = 200 mA  
⎯
mS  
D
I
I
I
= 500 mA, V  
= 10 V  
= 5 V  
2.0  
2.1  
2.2  
17  
1.4  
5.8  
2.4  
26  
3.0  
3.2  
3.3  
⎯
D
D
D
GS  
GS  
GS  
Drain-source ON-resistance  
R
Ω
= 100 mA, V  
= 100 mA, V  
⎯
DS (ON)  
= 4.5 V  
⎯
Input capacitance  
C
C
⎯
pF  
pF  
pF  
iss  
V
= 25 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
I = 200 mA ,  
D
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
⎯
⎯
DS  
GS  
rss  
C
oss  
td  
(on)  
td  
(off)  
⎯
⎯
⎯
⎯
4.0  
40  
Turn-on delay time  
Turn-off delay time  
V
V
= 30 V ,  
DD  
GS  
Switching time  
ns  
= 0 to 10 V  
Start of commercial production  
2005-02  
1
2014-03-01  
12345

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与SSM3K7002FU(T5LRBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SSM3K7002FU,LF(T TOSHIBA Small Signal Field-Effect Transistor

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SSM3K7002KF TOSHIBA N-ch MOSFET, 60 V, 0.4 A, 1.5 Ω@10V, SOT-346(

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