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SQ3481EV-T1_GE3

更新时间： 2024-11-16 21:06:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SQ3481EV-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：5.73配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.043 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：150 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SQ3481EV-T1_GE3 数据手册

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SQ3481EV  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• TrenchFET® Power MOSFET  
• AEC-Q101 Qualifiedc  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 30  
0.043  
0.070  
- 7.5  
RDS(on) () at VGS = - 10 V  
RDS(on) () at VGS = - 4.5 V  
• 100 % Rg and UIS Tested  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
ID (A)  
Configuration  
Single  
(4) S  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
(3) G  
3 mm  
5
4
2.85 mm  
Marking Code: 8Exxx  
(1, 2, 5, 6) D  
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TSOP-6  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SQ3481EV-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 30  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
- 7.5  
- 4.3  
- 5.2  
- 30  
Continuous Drain Current  
ID  
T
C = 125 °C  
Continuous Source Current  
Pulsed Drain Currenta  
IS  
A
IDM  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
- 15  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
11  
mJ  
W
4
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
C = 125 °C  
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
110  
36  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mountb  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
c. Parametric verification ongoing.  
S11-2124-Rev. B, 07-Nov-11  
Document Number: 71508  
1
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ3481EV-T1-GE3 VISHAY

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 		SQ3481EV Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
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