是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.73 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 7.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.043 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 150 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQ3493EV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3495EV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3585EV | VISHAY |
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Automotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SQ3866A | SEMICOA |
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Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN | |
SQ3866AF | SEMICOA |
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Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN | |
SQ3960 | SEMICOA |
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Chip Type 2C3960 Geometry 0003 Polarity NPN | |
SQ3960F | SEMICOA |
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Chip Type 2C3960 Geometry 0003 Polarity NPN | |
SQ3985EV | VISHAY |
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Automotive Dual P-Channel 20 V (D-S) 175 °C M | |
SQ3987EV | VISHAY |
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Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 °C M | |
SQ3989EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 °C M |