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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 11 weeks |
| 风险等级： | 1.61 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 75 pF | JEDEC-95代码： | MO-193C |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ3427CEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3427EEV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3427EEV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3427EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SQ3442EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3442EV | FREESCALE |
获取价格 |
Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3442EV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3456BEV | FREESCALE |
获取价格 |
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3456BEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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