是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 11 weeks |
风险等级: | 1.61 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 5.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.095 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 75 pF | JEDEC-95代码: | MO-193C |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 5 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQ3427CEEV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3427EEV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3427EEV-T1-GE3 | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3427EV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SQ3442EV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3442EV | FREESCALE |
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Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3442EV-T1-GE3 | VISHAY |
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Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3456BEV | FREESCALE |
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Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3456BEV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE |