5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 85 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ3461EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3469EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3481EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3481EV-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SQ3481EV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
SQ3481EV Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3493EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3495EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3585EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SQ3866A | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN |
|
| SQ3866AF | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
