5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 120 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ3419EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SQ3425EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3426AEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3426CEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3426CEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3426EEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3426EEV | FREESCALE |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
| SQ3426EEV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SQ3426EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
