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SQ3419EV-T1_GE3

更新时间： 2024-11-16 21:18:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 271K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6

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SQ3419EV-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：1.6Samacsys Description：MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：6.9 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
JEDEC-95代码：MO-193AAJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SQ3419EV-T1_GE3 数据手册

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SQ3419EV  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
-40  
0.058  
0.092  
-6.9  
• AEC-Q101 qualified  
RDS(on) () at VGS = -10 V  
RDS(on) () at VGS = -4.5 V  
• 100 % Rg and UIS tested  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
ID (A)  
Configuration  
Package  
Single  
TSOP-6  
TSOP-6 Single  
S
4
(1, 2, 5, 6) D  
D
5
D
6
(3) G  
3
G
2
D
P-Channel MOSFET  
(4) S  
1
D
Top View  
Marking Code: 8V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
-40  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
-6.9  
Continuous Drain Current  
ID  
T
C = 125 °C  
-4  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Current  
IS  
-6.3  
A
IDM  
IAS  
EAS  
-27  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
-16.5  
13.6  
5
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TC = 25 °C  
Maximum Power Dissipation a  
PD  
TC = 125 °C  
1.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
110  
30  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mount b  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).  
S16-0619-Rev. B, 11-Apr-16  
Document Number: 68210  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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