是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 11 weeks |
风险等级: | 1.6 | Samacsys Description: | MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.058 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 100 pF |
JEDEC-95代码: | MO-193AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQ3425EV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3426AEEV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3426CEEV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3426CEV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3426EEV | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3426EEV | FREESCALE |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3426EEV-T1-GE3 | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ3426EV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3427AEEV | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |