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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 7 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ3418EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3419AEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3419EEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3419EEV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3419EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SQ3425EV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3426AEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ3426CEEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ3426CEV | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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