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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 7.93 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPW11N60S5_08 | INFINEON |
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Cool MOS? Power Transistor |
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| SPW11N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPW11N80C3_08 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
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| SPW11N80C3FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPW12N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPW12N50C3_08 | INFINEON |
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COOL MOS POWER TRANSISTOR |
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| SPW15N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPW15N60C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
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| SPW15N60CFD | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SPW16N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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