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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPA11N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPA11N60C3E8185 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
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| SPA11N60C3XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA11N60CFD | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| SPA11N60CFD_10 | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPA11N60CFD_1012 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| SPA11N60CFDXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA11N65C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPA11N65C3XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA11N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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