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SPA11N60CFDXKSA1

更新时间： 2024-11-22 19:48:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	557K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULLPAK-3

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SPA11N60CFDXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	340 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.44 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPA11N60CFDXKSA1 数据手册

SPA11N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

V _DS

600

0.44

• New revolutionary high voltage technology

• Intrinsic fast-recovery body diode

R _DS(on),max

I _D

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

PG-TO220-3-31

• Extreme dv /dt rated

• High peak current capability

• Periodic avalanche rated

• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC⁰⁾

Type

Package

Ordering Code

Marking

SPA11N60CFD

TO-220-3-31

SP000216317

11N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

I _D=5.5 A, V _DD=50 V

I _D=11 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

340

0.6

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

I _D=11 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

600

Reverse diode dv /dt

V/ns

A/µs

I _S=11 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

Maximum diode commutation speed di /dt

V _GS

±20

Gate source voltage

static

±30

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

°C

Rev. 1.4

page 1

2010-12-21

12 3 4 5 6 7...12

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SPA11N60CFDXKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P
STP11NM60FP	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D

与SPA11N60CFDXKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPA11N65C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPA11N65C3XK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA11N80C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPA11N80C3_08	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
SPA11N80C3XK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA11N80C3XKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA1201	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1202	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1203	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1204	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere

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