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SPA11N60CFDXKSA1

更新时间： 2024-01-12 17:51:05
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 557K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULLPAK-3

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SPA11N60CFDXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：340 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPA11N60CFDXKSA1 数据手册

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SPA11N60CFD  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
600  
0.44  
11  
V
"
A
• New revolutionary high voltage technology  
• Intrinsic fast-recovery body diode  
R DS(on),max  
1)  
I D  
• Extremely low reverse recovery charge  
• Ultra low gate charge  
PG-TO220-3-31  
• Extreme dv /dt rated  
• High peak current capability  
• Periodic avalanche rated  
• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC0)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPA11N60CFD  
TO-220-3-31  
SP000216317  
11N60CFD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
11  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
A
7
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
28  
I D=5.5 A, V DD=50 V  
I D=11 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
340  
0.6  
11  
mJ  
Avalanche energy, repetitive2),3)  
Avalanche current, repetitive2),3)  
A
I D=11 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
80  
Drain source voltage slope  
dv /dt  
dv /dt  
V/ns  
40  
600  
Reverse diode dv /dt  
V/ns  
A/µs  
V
I S=11 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
Maximum diode commutation speed di /dt  
V GS  
±20  
Gate source voltage  
static  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
33  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.4  
page 1  
2010-12-21  
1234567...12

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SPA11N60CFDXKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP11NM60FP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D

与SPA11N60CFDXKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPA11N65C3 INFINEON

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SPA11N65C3XK INFINEON

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SPA11N80C3 INFINEON

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SPA11N80C3_08 INFINEON

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 		CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
SPA11N80C3XK INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA11N80C3XKSA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA1201 RECTRON

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 		SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1202 RECTRON

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 		SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
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 		SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
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