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SPA12N50C3XKSA1

更新时间： 2024-11-22 19:46:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 639K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA12N50C3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：7.95
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：11.6 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：34.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPA12N50C3XKSA1 数据手册

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SPP12N50C3  
SPI12N50C3, SPA12N50C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
V
@ T  
560  
0.38  
11.6  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
FP  
PG-TO220-PG-TO262- G-TO220  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
2
3
2
1
3
2
1
P-TO220-3-31  
P-TO220-3-1  
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Q67040-S4579  
Q67040-S4578  
SP000216322  
Marking  
12N50C3  
SPP12N50C3  
SPI12N50C3  
SPA12N50C3  
PG-TO220  
PG-TO262  
PG-TO220FP  
12N50C3  
12N50C3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP_I  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T
= 25 °C  
11.6  
7
11.6  
7
C
1)  
T
= 100 °C  
C
Pulsed drain current,  
Avalanche energy, single pulse  
t
limited by  
T
I
D puls  
34.8  
340  
34.8  
340  
A
mJ  
p
jmax  
E
AS  
I
=5.5A,  
V
=50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive  
t
limited by  
T
0.6  
0.6  
AR  
AR  
jmax  
I
=11.6A,  
V
=50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive  
Gate source voltage  
t
limited by  
T
I
AR  
11.6  
±20  
30  
11.6  
±20  
30  
A
V
AR  
jmax  
V
V
P
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
125  
33  
W
C
Operating and storage temperature  
Reverse diode dv/dt  
T
dv/dt  
,
T
-55...+150  
°C  
V/ns  
j
stg  
7)  
15  
Page 1  
Rev. 3.1  
2009-11-30  
1234567...14

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与SPA12N50C3XKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPA13003 SANYO

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