Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPA11N80C3XK

SPA11N80C3XK

更新时间： 2024-11-23 13:13:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
10页	291K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA11N80C3XK 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.69	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPA11N80C3XK 数据手册

SPA11N80C3

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

V _DS

800

0.45

• New revolutionary high voltage technology

• Extreme dv/dt rated

_DS(on)max@ T_j= 25°C

Ω

Q _g,typ

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Ultra low gate charge

• Ultra low effective capacitances

• Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

CoolMOS^TM800V designed for:

• Industrial application with high DC bulk voltage

• Switching Application ( i.e. active clamp forward )

Type

Package

Marking

SPA11N80C3

PG-TO220FP

11N80C3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

7.1

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=2.2 A, V _DD=50 V

I _D=11 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, repetitive t _AR

470

0.2

2),3)

E _AR

I _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

MOSFET dv /dt ruggedness

Gate source voltage

_DS=0…640 V

dv /dt

V _GS

V/ns

±20

±30

static

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M2.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 2.9

2008-10-15

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPA11N80C3XKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPA1201	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1202	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1203	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1204	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
SPA1205	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere
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