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SPA11N80C3XKSA2

更新时间： 2024-11-23 15:52:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 504K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA11N80C3XKSA2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：2.3
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPA11N80C3XKSA2 数据手册

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SPA11N80C3  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
800  
0.45  
64  
V
• New revolutionary high voltage technology  
• Extreme dv/dt rated  
R DS(on)max @ Tj = 25°C  
Q g,typ  
W
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Ultra low gate charge  
• Ultra low effective capacitances  
• Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
CoolMOSTM 800V designed for:  
• Industrial application with high DC bulk voltage  
• Switching Application ( i.e. active clamp forward )  
Type  
Package  
Marking  
SPA11N80C3  
PG-TO220-3  
11N80C3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current2)  
I D  
T C=25 °C  
11  
7.1  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
33  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=2.2 A, V DD=50 V  
I D=11 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
470  
0.2  
mJ  
3),4)  
3),4)  
E AR  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
11  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V DS=0…640 V  
static  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
34  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
50  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M2.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.92  
2014-02-14  
1234567...10

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