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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPA11N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPA11N80C3_08 | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPA11N80C3XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA11N80C3XKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA1201 | RECTRON |
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SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere |
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| SPA1202 | RECTRON |
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SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere |
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| SPA1203 | RECTRON |
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SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere |
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| SPA1204 | RECTRON |
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SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere |
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| SPA1205 | RECTRON |
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SILICON RECTIFIER VOLAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 12 Ampere |
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| SPA-1218 | SIRENZA |
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1960 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias |
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