SP8K3

更新时间： 2024-11-25 09:10:07

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罗姆 - ROHM		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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Switching (30V, 7.0A)

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SP8K3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SP8K3 数据手册

SP8K3

Transistors

Switching (30V, 7.0A)

SP8K3

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

5.0±0.2

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.2±0.1

0.4±0.1

zStructure

1.27

0.1

Silicon N-channel

MOS FET

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

It is the same ratings for the Tr. 1 and Tr. 2.

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

±7.0

±28

Continuous

Pulsed

Drain current

(1) (2) (3) (4)

I_DP

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

I_SP

6.4

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

°C

(1)

(2)

(3)

(4)

Tch

Tstg

150

Storage temperature

1 Pw 10µs, Duty cycle 1%

−55 to +150

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

°C / W

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

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SP8K3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SP8K3FU6TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SP8K3TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与SP8K3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8K31FRATB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SP8K31HZG	ROHM	获取价格	SP8K31HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个
SP8K31HZGTB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SP8K31TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SP8K32HZG	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SP8K32TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.077ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
SP8K33HZG	ROHM	获取价格	本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60
SP8K3FU6TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SP8K3TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SP8K4	ROHM	获取价格	Switching (30V, 9.0A)

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