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SP8M10FU6TB

更新时间： 2024-09-30 15:52:35

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Transistor

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SP8M10FU6TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SP8M10FU6TB 数据手册

SP8M10

Transistors

Switching

SP8M10

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

5.0±0.2

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.2±0.1

0.4±0.1

1.27

0.1

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Limits

Nchannel

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Parameter

Symbol

Unit

Pchannel

−30

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

±20

±7.0

±28

1.6

6.4

±20

Continuous

Pulsed

±4.5

±18

Drain current

(1) (2) (3) (4)

I_DP

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

−1.6

−18

(1) Tr1 (Nch) Source

(2) Tr1 (Nch) Gate

(3) Tr2 (Pch) Source

(4) Tr2 (Pch) Gate

(5) Tr2 (Pch) Drain

(6) Tr2 (Pch) Drain

(7) Tr1 (Nch) Drain

(8) Tr1 (Nch) Drain

I_SP

Total power dissipation (T_C=25°C)

Channel temperature

P_D

°C

Tch

Tstg

150

(1)

(2)

(3)

(4)

Storage temperature

1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

−55 to +150 −55 to +150

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Rth (ch-A)

Limits

Unit

°C / W

Channel to ambient

62.5

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

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