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SP8M24FU6TB

更新时间： 2024-10-02 15:52:35

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罗姆 - ROHM		/
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4页	79K
描述
Transistor,

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SP8M24FU6TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SP8M24FU6TB 数据手册

SP8M24

Transistors

4V Drive Nch+Pch MOSFET

SP8M24

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET /

Silicon P-channel MOSFET

SOP8

zFeatures

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S protection diode.

3) Small surface mount package (SOP8).

Each lead has same dimensions

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SP8M24

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD protection diode

∗2 Body diode

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Limits

Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch

Parameter

Symbol

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

−45

Drain-source voltage

Gate-source voltage

4.5

3.5

Continuous

Pulsed

Drain current

∗1

I_DP

I_S

1.0

−1.0

−14

Continuous

Pulsed

Source current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

W / TOTAL

W / ELEMENT

°C

2.0

1.4

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

Tch

150

Storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board.

Tstg

−55 to +150

°C

Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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