SP8M8

更新时间： 2024-01-06 02:11:43

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	77K
描述
Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SP8M8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SP8M8 数据手册

SP8M8

Transistors

Switching

SP8M8

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

5.0±0.2

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.2±0.1

0.4±0.1

1.27

0.1

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Limits

Pchannel

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Parameter

Symbol

Unit

Nchannel

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

−30

−20

±4.5

±18

−1.6

−18

Continuous

Pulsed

±6.0

±24

1.6

Drain current

(1) (2) (3) (4)

I_DP

(1) Tr1 (Nch) Source

(2) Tr1 (Nch) Gate

(3) Tr2 (Pch) Source

(4) Tr2 (Pch) Gate

(5) Tr2 (Pch) Drain

(6) Tr2 (Pch) Drain

(7) Tr1 (Nch) Drain

(8) Tr1 (Nch) Drain

I_S

Continuous

Pulsed

Source current

(Body diode)

I_SP

P_D

°C

Total power dissipation

Channel temperature

(1)

(2)

(3)

(4)

Tch

Tstg

150

Storage temperature

1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

−55 to +150

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

Rth (ch-a)

°C / W

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

1/5

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

SP8M8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SP8M8TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M8FU6TB	ROHM	功能相似	Transistor,

与SP8M8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8M8FRATB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M8FU6TB	ROHM	获取价格	Transistor,
SP8M8TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M9	ROHM	获取价格	Switching
SP900	ADATA	获取价格	ADATA Premier Pro SP900 Solid State Drive SATA 6Gb/sec
SP9001C	DYNEX	获取价格	Analog Circuit, CDIP18
SP900S-90	TI	获取价格	A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
SP903	SIPAT	获取价格	DECT RF Filters
SP9102	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 1000MHz Max, FP-4
SP9105	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 1000MHz Max, FP-4

与SP8M8相关文章

解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

15
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

78
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

140
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

188

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SP8M8

SP8M8 技术参数

SP8M8 数据手册

SP8M8 替代型号

与SP8M8相关器件

与SP8M8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SP8M8

SP8M8 技术参数

SP8M8 数据手册

SP8M8 替代型号

与SP8M8相关器件

与SP8M8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？