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SP8M8FRATB

更新时间： 2024-01-24 16:39:49

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	963K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8M8FRATB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.04
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SP8M8FRATB 数据手册

SP8M8FRA

SP8M8

Transistors

AEC-Q101 Qualified

4V Drive Nch+Pch MOSFET

SP8M8FRA

SP8M8

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel / P-channel MOSFET

SOP8

zFeatures

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Smal Surface Mount Package (SOP8).

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

Each lead has same dimensions

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SPSP8M8M8F

∗2

(1) (2) (3) (4)

(1) Tr1 (Nch) Source

(2) Tr1 (Nch) Gate

(3) Tr2 (Pch) Source

(4) Tr2 (Pch) Gate

(5) Tr2 (Pch) Drain

(6) Tr2 (Pch) Drain

(7) Tr1 (Nch) Drain

(8) Tr1 (Nch) Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

∗A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Limits

Parameter

Symbol

Unit

Nchannel

Pchannel

V_DSS

V_GSS

I_D

−30

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

4.5

6.0

Drain current

∗1

I_DP

I_S

Continuous

Pulsed

−1.6

−18

1.6

Source current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

P_D

°C

Total power dissipation

Channel temperature

Tch

150

Tstg

Storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

−55 to +150

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^∗

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

∗MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

°C / W

Rev.B

1/5

12 3 4 5 6

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与SP8M8FRATB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8M8FU6TB	ROHM	获取价格	Transistor,
SP8M8TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M9	ROHM	获取价格	Switching
SP900	ADATA	获取价格	ADATA Premier Pro SP900 Solid State Drive SATA 6Gb/sec
SP9001C	DYNEX	获取价格	Analog Circuit, CDIP18
SP900S-90	TI	获取价格	A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
SP903	SIPAT	获取价格	DECT RF Filters
SP9102	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 1000MHz Max, FP-4
SP9105	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 1000MHz Max, FP-4
SP9106	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 1000MHz Max, FP-4

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