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SP8M70TB

更新时间： 2024-01-28 04:39:02

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.63ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8M70TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	1.63 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3/e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN/TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SP8M70TB 数据手册

SP8M70

Transistors

4V Drive Nch+Pch MOSFET

SP8M70

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel / P-channel MOSFET

SOP8

zFeatures

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (SOP8).

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

Each lead has same dimensions

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SP8M70

∗2

(1) (2) (3) (4)

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

∗A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Limits

Parameter

Symbol

Unit

N-ch

250

P-ch

−250

−20

2.5

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Continuous

Pulsed

3.0

Drain current

∗1

I_DP

I_S

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

1.0

−1.0

−10

∗1

∗2

I_SP

P_D

Total power dissipation

Channel temperature

2.0(TOTAL) 1.4(ELEMENT)

°C

Tch

150

Storage temperature

∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%

∗2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

Tstg

−55 to +150

1/7

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8M70TB1	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SP8M7TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.082ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M8	ROHM	获取价格	Switching
SP8M8FRATB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M8FU6TB	ROHM	获取价格	Transistor,
SP8M8TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M9	ROHM	获取价格	Switching
SP900	ADATA	获取价格	ADATA Premier Pro SP900 Solid State Drive SATA 6Gb/sec
SP9001C	DYNEX	获取价格	Analog Circuit, CDIP18
SP900S-90	TI	获取价格	A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED

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