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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 45 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.064 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SP8M3 | ROHM |
获取价格 |
Switching |
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| SP8M31HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置60V的Nch+ |
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| SP8M3HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置30V的Nch |
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| SP8M3HZGTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| SP8M4 | ROHM |
获取价格 |
Switching |
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| SP8M41HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置80V的Nch+ |
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| SP8M4FRATB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SP8M4HZG | ROHM |
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SP8M4HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置30V |
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| SP8M4HZGTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| SP8M4TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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