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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 45 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.037 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SP8M24 | ROHM |
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4V Drive Nch+Pch MOS FET |
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| SP8M24FU6TB | ROHM |
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Transistor, |
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| SP8M24HZG | ROHM |
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本产品是2元件复合（Nch + Pch）型功率MOSFET。适合开关电源用途。 |
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| SP8M24HZGTB | ROHM |
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POWER, FET, |
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| SP8M24TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 45V, 0.064ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe |
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| SP8M3 | ROHM |
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Switching |
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| SP8M31HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置60V的Nch+ |
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| SP8M3HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置30V的Nch |
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| SP8M3HZGTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| SP8M4 | ROHM |
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Switching |
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