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SP8M10TB

更新时间： 2024-11-25 15:52:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 79K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP8, 8 PIN

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SP8M10TB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SP8M10TB 数据手册

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SP8M10  
Transistors  
Switching  
SP8M10  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
SOP8  
5.0±0.2  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small and Surface Mount Package (SOP8).  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
0.2±0.1  
0.4±0.1  
1.27  
0.1  
Each lead has same dimensions  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits  
Nchannel  
(8)  
(7)  
(6)  
(5)  
(8) (7) (6) (5)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Pchannel  
−30  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
±20  
±7.0  
±28  
1.6  
6.4  
2
V
V
±20  
Continuous  
Pulsed  
±4.5  
±18  
A
Drain current  
2
2
1
(1) (2) (3) (4)  
IDP  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
−1.6  
−18  
A
(1) Tr1 (Nch) Source  
(2) Tr1 (Nch) Gate  
(3) Tr2 (Pch) Source  
(4) Tr2 (Pch) Gate  
(5) Tr2 (Pch) Drain  
(6) Tr2 (Pch) Drain  
(7) Tr1 (Nch) Drain  
(8) Tr1 (Nch) Drain  
1
2
ISP  
A
1
1
Total power dissipation (TC=25°C)  
Channel temperature  
PD  
2
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
150  
150  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
Storage temperature  
1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.  
−55 to +150 −55 to +150  
1 ESD PROTECTION DIODE  
2 BODY DIODE  
A protection diode is included between the gate and  
the source terminals to protect the diode against static  
electricity when the product is in use. Use the protection  
circuit when the fixed voltages are exceeded.  
zThermal resistance (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Rth (ch-A)  
Limits  
Unit  
°C / W  
Channel to ambient  
62.5  
MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.  
1/5  
123456

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