是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.94 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SP8K31HZG | ROHM |
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SP8K31HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个 |
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SP8K31HZGTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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SP8K31TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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SP8K32HZG | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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SP8K32TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.077ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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SP8K33HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60 |
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SP8K3FU6TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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SP8K3TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SP8K4 | ROHM |
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Switching (30V, 9.0A) |
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SP8K41HZG | ROHM |
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本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 80 |
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