SP8K4TB

更新时间： 2024-01-30 21:38:48

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罗姆 - ROHM		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP8, 8 PIN

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SP8K4TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SP8K4TB 数据手册

SP8K4

Transistors

Switching (30V, 9.0A)

SP8K4

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

5.0±0.2

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.2±0.1

0.4±0.1

zStructure

1.27

0.1

Silicon N-channel

MOS FET

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

It is the same ratings for the Tr. 1 and Tr. 2.

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

±9.0

±36

Continuous

Pulsed

Drain current

(1) (2) (3) (4)

I_DP

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

I_SP

6.4

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

°C

(1)

(2)

(3)

(4)

Tch

Tstg

150

Storage temperature

1 Pw 10µs, Duty cycle 1%

−55 to +150

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

°C / W

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

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SP8K4TB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SP8K4FU6TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与SP8K4TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8K5	ROHM	获取价格	Switching (30V, 3.5A)
SP8K52FRATB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SP8K52HZG	ROHM	获取价格	SP8K52HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个
SP8K52HZGTB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SP8K5TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SP8K63TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.038ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SP8K64	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Nch MOSFET
SP8K64TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0245ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SP8K80	ROHM	获取价格	10V Drive Nch MOSFET
SP8M10	ROHM	获取价格	Switching

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