5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SP8M10
SP8M10 PDF预览

SP8M10

更新时间： 2024-02-04 09:25:22
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

SP8M10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SP8M10 数据手册

 浏览型号SP8M10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SP8M10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SP8M10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SP8M10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SP8M10的Datasheet PDF文件第6页 
SP8M10  
Transistors  
Switching  
SP8M10  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
SOP8  
5.0±0.2  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small and Surface Mount Package (SOP8).  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
0.2±0.1  
0.4±0.1  
1.27  
0.1  
Each lead has same dimensions  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits  
Nchannel  
(8)  
(7)  
(6)  
(5)  
(8) (7) (6) (5)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Pchannel  
−30  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
±20  
±7.0  
±28  
1.6  
6.4  
2
V
V
±20  
Continuous  
Pulsed  
±4.5  
±18  
A
Drain current  
2
2
1
(1) (2) (3) (4)  
IDP  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
−1.6  
−18  
A
(1) Tr1 (Nch) Source  
(2) Tr1 (Nch) Gate  
(3) Tr2 (Pch) Source  
(4) Tr2 (Pch) Gate  
(5) Tr2 (Pch) Drain  
(6) Tr2 (Pch) Drain  
(7) Tr1 (Nch) Drain  
(8) Tr1 (Nch) Drain  
1
2
ISP  
A
1
1
Total power dissipation (TC=25°C)  
Channel temperature  
PD  
2
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
150  
150  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
Storage temperature  
1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.  
−55 to +150 −55 to +150  
1 ESD PROTECTION DIODE  
2 BODY DIODE  
A protection diode is included between the gate and  
the source terminals to protect the diode against static  
electricity when the product is in use. Use the protection  
circuit when the fixed voltages are exceeded.  
zThermal resistance (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Rth (ch-A)  
Limits  
Unit  
°C / W  
Channel to ambient  
62.5  
MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.  
1/5  
123456

中文翻译

下载PDF

与SP8M10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SP8M10FRATB ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M10FU6TB ROHM

获取价格

 		Transistor
SP8M10TB ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M2 ROHM

获取价格

 		4V Drive Nch + Pch MOSFET
SP8M21 ROHM

获取价格

 		4V Drive Nch+Pch MOSFET
SP8M21HZG ROHM

获取价格

 		本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置80V的Nch
SP8M21TB ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 45V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M24 ROHM

获取价格

 		4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M24FU6TB ROHM

获取价格

 		Transistor,
SP8M24HZG ROHM

获取价格

 		本产品是2元件复合（Nch + Pch）型功率MOSFET。适合开关电源用途。

与SP8M10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证