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SP8K5TB

更新时间： 2024-09-30 19:42:43

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8K5TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SP8K5TB 数据手册

SP8K5

Transistors

Switching (30V, 3.5A)

SP8K5

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

5.0±0.2

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.2±0.1

0.4±0.1

zStructure

1.27

0.1

Silicon N-channel

MOS FET

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

It is the same ratings for the Tr. 1 and Tr. 2.

(8)

(7)

(6)

(5) (8) (7) (6) (5)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

±3.5

±14

Continuous

Pulsed

Drain current

(1) (2) (3) (4)

I_DP

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

I_SP

6.4

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

°C

(5) Tr2 Drain

(4)

(1)

(2)

(3)

Tch

Tstg

150

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Storage temperature

1 Pw 10µs, Duty cycle 1%

−55 to +150

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

°C / W

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

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12 3 4

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SP8K5TB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SP8K63TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.038ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SP8K64	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Nch MOSFET
SP8K64TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0245ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SP8K80	ROHM	获取价格	10V Drive Nch MOSFET
SP8M10	ROHM	获取价格	Switching
SP8M10FRATB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SP8M10FU6TB	ROHM	获取价格	Transistor
SP8M10TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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