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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SP8K33HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60 |
|
| SP8K3FU6TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SP8K3TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SP8K4 | ROHM |
获取价格 |
Switching (30V, 9.0A) |
|
| SP8K41HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 80 |
|
| SP8K41HZGTB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SP8K4FU6TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| SP8K4TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SP8K5 | ROHM |
获取价格 |
Switching (30V, 3.5A) |
|
| SP8K52FRATB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
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