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SKM500GA124D

更新时间: 2024-09-12 22:07:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 616K
描述
SEMITRANS M Low Loss IGBT Modules

SKM500GA124D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):700 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X5
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2500 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):742 ns
标称接通时间 (ton):175 nsVCEsat-Max:2.85 V
Base Number Matches:1

SKM500GA124D 数据手册

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SKM 500GA124D  
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Low Loss IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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224  
GA  
1
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