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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1000 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 700 ns | 标称接通时间 (ton)： | 150 ns |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM150GAL123D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
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| SKM150GAL12F4G | SEMIKRON |
获取价格 |
Chips SEMITRANS 3 (106x62x31) |
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| SKM150GAL12T4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Fast IGBT4 Modules |
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| SKM150GAL12T4_10 | SEMIKRON |
获取价格 |
Fast IGBT4 Modules |
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| SKM150GAL12V | SEMIKRON |
获取价格 |
Target Data |
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| SKM150GAL12V_11 | SEMIKRON |
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SEMITRANS |
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| SKM150GAR123D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
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| SKM150GAR12F4G | SEMIKRON |
获取价格 |
Chips SEMITRANS 3 (106x62x31) |
|
| SKM150GAR12T4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Fast IGBT4 Modules |
|
| SKM150GAR12V | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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