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SKM150GB123D

更新时间： 2024-11-23 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 707K
描述
IGBT Modules

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SKM150GB123D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7JESD-609代码：e3/e4
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：800 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：470 ns
标称接通时间 (ton)：240 nsVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

SKM150GB123D 数据手册

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SKM 150GB123D  
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Symbol Conditions  
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Features  
 
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1; 2 ./3 ꢉꢓ 4*  
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Mechanical data  
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/ꢖ3  
GB  
GAL  
GAR  
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B/3  
ꢎ
1
26-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
1234

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SKM150GB123D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MII145-12A3 IXYS

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