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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 700 ns | 标称接通时间 (ton)： | 560 ns |
| VCEsat-Max： | 3.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM150GB173D_06 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| SKM150GB17E4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SKM150GB17E4G | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31) |
|
| SKM150GB17E4GH16 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SKM150GM12T4G | SEMIKRON |
获取价格 |
Fast IGBT4 Modules |
|
| SKM150MLI066T | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
| SKM150MLI066T_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
| SKM150MLI066TAT | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 5 (106x62x31) |
|
| SKM151 | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SKM151A4R | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 500V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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