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SKM150GB124D

更新时间: 2024-11-23 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 706K
描述
Low Loss IGBT Modules

SKM150GB124D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):190 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PUFM-X7
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):800 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):480 ns
标称接通时间 (ton):85 nsVCEsat-Max:2.85 V
Base Number Matches:1

SKM150GB124D 数据手册

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SKM 150GB124D  
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Values  
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Low Loss IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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Typical Applications  
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D26  
GB  
1
14-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

与SKM150GB124D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM150GB128D SEMIKRON

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SKM150GB128D_06 SEMIKRON

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Target Data
SKM150GB12V_11 SEMIKRON

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