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SKM150GAL12V

更新时间： 2024-11-27 06:11:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
3页 422K
描述
Target Data

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SKM150GAL12V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：MODULE包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：225 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X11元件数量：1
端子数量：11最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

SKM150GAL12V 数据手册

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SKM150GAL12V  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT  
VCES  
1200  
225  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IC  
Tj = 175 °C  
170  
ICnom  
150  
ICRM  
ICRM = 3xICnom  
450  
VGES  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 2  
VCC = 720 V  
VGE ≤ 20 V  
VCES ≤ 1200 V  
Tj = 125 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
189  
141  
A
A
Tj = 175 °C  
SKM150GAL12V  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
150  
A
Target Data  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
450  
A
Features  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability, self  
limiting to 6 x Icnom  
• Fast & soft inverse CAL diodes  
• Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
• Isolated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• UL recognized, file no. E63532  
900  
A
-40 ... 175  
°C  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
189  
141  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
150  
A
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
450  
A
900  
A
-40 ... 175  
°C  
Typical Applications*  
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
• Switched reluctance motor  
• DC – Motor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
200  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 150 A  
VCE(sat)  
Tj = 25 °C  
1.75  
2.2  
2.2  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
2.65  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.94  
0.88  
5.4  
1.25  
1.22  
6.3  
9.5  
7
V
V
mΩ  
mΩ  
V
VGE = 15 V  
8.8  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 6 mA  
VGE = 0 V  
6
6.5  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
0.1  
0.3  
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
V
CE = 1200 V  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
9
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
0.89  
0.884  
1750  
5.0  
V
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 23.12.2009  
1
123

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