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SK20DGD065ET

更新时间： 2024-02-11 07:06:37
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 776K
描述
3-phase bridge rectifier +3-phase bridge inverter

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SK20DGD065ET 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X20
针数：20Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：ULTRA FAST外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：26 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X20JESD-609代码：e3/e4
元件数量：6端子数量：20
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：49 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

SK20DGD065ET 数据手册

 浏览型号SK20DGD065ET的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK20DGD065ET的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SK20DGD065ET的Datasheet PDF文件第4页 
SK 20 DGD 065 ET CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
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DGD - ET  
1
13-11-2006 DIL  
© by SEMIKRON  
1234

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与SK20DGD065ET相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK20DGD065ET_06 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier +3-phase bridge inverter
SK20DGD065ET_08 SEMIKRON

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SK20DGDL063 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE T43, SEMITOP-1
SK20DGDL065ET SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper +3-phase bridge inverter
SK20DGDL065ET_06 SEMIKRON

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SK20DGDL066ET SEMIKRON

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SK20DGDL07E3ETE1 SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12)
SK20GAL123 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T8, SEMITOP 2

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