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SK20GB123

更新时间： 2024-02-07 13:39:29
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 583K
描述
IGBT Module

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SK20GB123 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE T8, SEMITOP 2, 5 PIN针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：23 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：295 ns
标称接通时间 (ton)：80 nsVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

SK20GB123 数据手册

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SK20GB123  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
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Values  
Units  
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0
7
7
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7
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A
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7
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SK20GB123  
Module  
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7
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Preliminary Data  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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min.  
typ.  
max. Units  
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-/-  
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5/4  
0
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0
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Typical Applications  
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4/B  
KLM  
GB  
1
13-02-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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