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SK20GAR123

更新时间： 2024-01-17 03:18:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 407K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T8, SEMITOP 2, 4 PIN

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SK20GAR123 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：23 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-P4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：295 ns
标称接通时间 (ton)：80 nsBase Number Matches：1

SK20GAR123 数据手册

 浏览型号SK20GAR123的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK20GAR123的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SK20GAR123的Datasheet PDF文件第4页 
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