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SK20DGDL066ET

更新时间: 2024-09-27 03:31:55
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 774K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

SK20DGDL066ET 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23针数:27
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):29 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X23
元件数量:1端子数量:23
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.85 VBase Number Matches:1

SK20DGDL066ET 数据手册

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SK 20 DGDL 066 ET CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Target Data  
 
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Features  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, chopper  
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DGDL - ET  
1
14-03-2007 DIL  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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